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TGF2955

TGF2955
Mfr. #:
TGF2955
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2955 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2955 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
pHEMT
Tecnología:
GaAs
Ganar:
10.4 dB
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
12 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
- 7 V
Id - Corriente de drenaje continua:
517 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 65 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
5.6 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Embalaje:
Paquete de gel
Configuración:
Doble
Frecuencia de operación:
20 GHz
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 65 C to + 150 C
Producto:
RF JFET
Escribe:
GaAs pHEMT
Marca:
Qorvo
Transconductancia directa - Mín .:
619 mS
Número de canales:
2 Channel
P1dB - Punto de compresión:
32.5 dBm
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
100
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1098617
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 12 GHz, 40 W, 19.2 dB, 32 V, GaN, DIE
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TGF2955
DISTI # 772-TGF2955		QorvoRF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
RoHS: Compliant		3
  • 1:$75.1500
  • 25:$65.7600
  • 100:$57.5500
1112260
DISTI # TGF2955		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 1:$33.0700
Imagen Parte # Descripción
52559-0652

Mfr.#: 52559-0652

OMO.#: OMO-52559-0652-687

 FFC & FPC Connectors 0.5 FPC ZIF SMT ST 6 T ST 6Ckt EmbsTp Pkg
15166-0053

Mfr.#: 15166-0053

OMO.#: OMO-15166-0053-488

 FFC / FPC Jumper Cables FFC 0.50 Type A 6 ckts lgt 51
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de TGF2955 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
50
65,76 US$
3 288,00 US$
100
57,55 US$
5 755,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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