IRF7739L2TR1PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-L8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

270 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

700 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

220 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.74 mm

Longitud:

9.15 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

7.1 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

280 S

Otoño:

42 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

71 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

56 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

21 ns

Parte # Alias:

SP001563718

Unidad de peso:

0.035274 oz

Tags

IRF7739L2, IRF7739, IRF773, IRF77, IRF7, IRF