SSM6N43FU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

500 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

460 mOhms, 460 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

1.23 nC, 1.23 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

SSM6N43

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

75 ns, 75 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns, 30 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

SSM6N43, SSM6N4, SSM6N, SSM6, SSM