FCP260N65S3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

260 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

24 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

90 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

SuperFET3

Tipo de transistor:

1 N-Channel SuperFET III MOSFET

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

49 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Tags

FCP2, FCP