BSZ018NE2LSIXT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

48 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

69 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

50 S

Otoño:

3.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.2 ns

Parte # Alias:

BSZ018NE2LSIATMA1 SP000906032

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BSZ018NE2LSI, BSZ018NE, BSZ018, BSZ01, BSZ0, BSZ