NTZD3152PT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

430 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2 Ohms, 2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

1.8 V

Qg - Carga de puerta:

1.7 nC, 1.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

280 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.55 mm

Longitud:

1.6 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTZD3152P

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

1.2 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

1 S, 1 S

Otoño:

19 ns, 19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns, 12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns, 35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 10 ns

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

NTZD3152PT1, NTZD3152PT, NTZD3152, NTZD3, NTZD, NTZ