IXTU4N70X2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Escribe:

X2-Class

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Tubo

Configuración:

Único

Marca:

IXYS

Polaridad del transistor:

Canal N

Otoño:

28 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Pd - Disipación de energía:

80 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

850 mOhms

Hora de levantarse:

27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

70

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Nombre comercial:

HiPerFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

66 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

700 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Tags

IXTU4, IXTU, IXT