NTMS3P03R2G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.05 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

85 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

5 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

5 S

Otoño:

35 ns, 45 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

42 ns, 16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns, 45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns, 12 ns

Unidad de peso:

0.006596 oz

Tags

NTMS3, NTMS, NTM