NTTS2P03R2G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Micro-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.48 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

85 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

780 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.95 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

3.1 S

Otoño:

40 ns, 20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns, 20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns, 40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns, 10 ns

Tags

NTTS2P03, NTTS2P, NTTS2, NTTS, NTT