STH170N8F7-2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H2PAK-2

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

120 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

STripFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.8 mm

Longitud:

15.8 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

STH170N8F7-2

Escribe:

STripFET F7

Ancho:

10.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

53 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

79 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

38 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STH17, STH1, STH