BSC155N06NDATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

15.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

29 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

50 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

BSC155N06

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

BSC155N06ND SP003883348

Tags

BSC15, BSC1, BSC