PHB29N08T,118

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

27 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

96 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

88 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.5 mm

Longitud:

10.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.4 mm

Marca:

Nexperia

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

70 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.5 ns

Parte # Alias:

/T3 PHB29N08T

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

PHB29N08T, PHB29, PHB2, PHB