DMC2020USD-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.5 A, 6.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20 mOhms, 33 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV, 400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

11.6 nC, 8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMC2020

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

12.33 ns, 42.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12.49 ns, 12.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35.89 ns, 94.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11.67 ns, 16.8 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

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DMC2020USD-1, DMC2020U, DMC2020, DMC202, DMC20, DMC2, DMC