STFW6N120K3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3PF-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.4 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

34 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

STFW6N120K3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

32 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

300

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

58 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Unidad de peso:

0.245577 oz

Tags

STFW6, STFW, STF