R6018ANJTL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

210 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

55 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

100 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

6.5 S

Otoño:

65 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

85 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

155 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

37 ns

Parte # Alias:

R6018ANJ

Unidad de peso:

0.077603 oz

Tags

R6018A, R6018, R601, R60