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SIE844DF-T1-E3

SIE844DF-T1-E3
Mfr. #:
SIE844DF-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIE844DF-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIE844DF-T1-E3 DatasheetSIE844DF-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SIE844DF-T1-E3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay / Siliconix
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SIE844DF-E3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PolarPAK-10
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
5.2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
10 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
20.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
7 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
25 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
25 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SIE84, SIE8, SIE
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
N CHANNEL MOSFET, 30V, 44.5A, POLARPAK, FULL REEL
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
***nell
MOSFET, N, POLARPAK
***ment14 APAC
MOSFET, N, POLARPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:5.2W; Operating Temperature Range:-50°C to +150°C; Transistor Case Style:PolarPAK; No. of Pins:10; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:44.5A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PolarPAK; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:5.2W; Rise Time:10ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIE844DF-T1-E3
DISTI # SIE844DF-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SIE844DF-T1-E3
    DISTI # 781-SIE844DF-E3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      SIE844DF-T1-GE3

      Mfr.#: SIE844DF-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIE844DF-T1-GE3

      		 MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
      SIE844DF-T1-E3

      Mfr.#: SIE844DF-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIE844DF-T1-E3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
      SIE844DF-T1-GE3

      Mfr.#: SIE844DF-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIE844DF-T1-GE3-VISHAY

      		 MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      4000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SIE844DF-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
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      Ext. Precio
      1
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      0,00 US$
      10
      0,00 US$
      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
      0,00 US$
      0,00 US$
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