NTR4170NT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

4.76 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTR4170N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

1.3 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

8 S

Otoño:

3.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.4 ns

Unidad de peso:

0.050717 oz

Tags

NTR4170NT, NTR4170, NTR417, NTR41, NTR4, NTR