SPB80N06S-08

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

SIPMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

SIPMOS

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

73 S

Otoño:

32 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

53 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

54 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

22 ns

Parte # Alias:

SP000084808 SPB80N06S08ATMA1 SPB8N6S8XT

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

SPB80N06S, SPB80N06, SPB80N0, SPB80N, SPB8, SPB