BC858BWT106

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 30 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.6 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

250 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

BC858BW

Ganancia de corriente CC hFE Max:

480

Altura:

0.8 mm

Longitud:

2 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

- 0.1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

210

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

BC858BW

Unidad de peso:

0.000176 oz

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