RZQ050P01TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-457T-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

19 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

35 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

RZQ050P01

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

8 S

Otoño:

225 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

100 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

420 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Parte # Alias:

RZQ050P01

Unidad de peso:

0.000494 oz

Tags

RZQ050P01T, RZQ050, RZQ05, RZQ0, RZQ