IRF7701GTRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSSOP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

69 nC

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.2 mm

Longitud:

4.4 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.005573 oz

Tags

IRF7701, IRF770, IRF77, IRF7, IRF