SSM6L61NU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UDFN-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

108 mOhms, 157 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV, 500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V, 12 V

Qg - Carga de puerta:

3.6 nC, 6.74 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

UMOSIX

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOS de canal P / N de silicio

Ancho:

2 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

12 S, 9.5 S

Otoño:

-

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

-

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns, 54 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns, 21 ns

Tags

SSM6L6, SSM6L, SSM6, SSM