STY100NS20FD

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

Max247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

24 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

450 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.3 mm

Longitud:

15.9 mm

Serie:

STY100NS20FD

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

5.3 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

140 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

140 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

600

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo típico de retardo de encendido:

42 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

STY100N, STY100, STY10, STY1, STY