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SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA425EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIA425EDJ-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SIA425EDJ-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAK-SC-70-6
Tecnología
Si
Disipación de potencia Pd
15.6 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
12 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
- 4.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
60 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tags
SIA42, SIA4, SIA
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***i-Key
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
***ark
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
***ure Electronics
SINGLE P-CH PPAK SC70 20V 60MOHM @ 4.5V
***
P-CHANNEL 20-V (D-S)
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIA425EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA425EDJ-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		172In Stock
  • 100:$0.3739
  • 10:$0.4990
  • 1:$0.5900
SIA425EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA425EDJ-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SIA425EDJ-T1-GE3
    DISTI # SIA425EDJ-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SIA425EDJ-T1-GE3
      DISTI # 78-SIA425EDJ-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V
      RoHS: Compliant      		0
        Imagen Parte # Descripción
        SIA425EDJ-T1-GE3

        Mfr.#: SIA425EDJ-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIA425EDJ-T1-GE3-VISHAY

        		 IGBT Transistors MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V
        Disponibilidad
        Valores:
        Available
        En orden:
        4500
        Ingrese la cantidad:
        El precio actual de SIA425EDJ-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
        Precio de referencia (USD)
        Cantidad
        Precio unitario
        Ext. Precio
        1
        0,59 US$
        0,59 US$
        10
        0,56 US$
        5,57 US$
        100
        0,53 US$
        52,77 US$
        500
        0,50 US$
        249,20 US$
        1000
        0,47 US$
        469,10 US$
        Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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