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BDX67C

BDX67C
Mfr. #:
BDX67C
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
Bipolar Junction Transistor, Darlington, NPN Type, TO-3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
BDX67C Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Tags
BDX67, BDX6, BDX
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:120V; Continuous Collector Current, Ic:16A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2V; Power Dissipation, Pd:150W ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:5200; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; Av Current Ic:16A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Continuous Collector Current Ic Max:16A; Current Ic Continuous a Max:16A; Current Ic hFE:10A; Device Marking:BDX67C; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:50kHz; Hfe Min:1000; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3; Power Dissipation Ptot Max:150W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:140V
***nell
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3; Biegunowość tranzystora:NPN; Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo:120V; Częstotliwość przejścia ft:50kHz; Straty mocy Pd:150W; Prąd kolektora DC:16A; Wzmocnienie prądu DC hFE:5200hFE; Rodzaj obudowy tranzystora:TO-3; Liczba pinów:2piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:200°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:-; Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2019); Hfe, min.:1000; Liczba tranzystorów:1; Maks. ciągły prąd kolektora Ic:16A; Napięcie Vcbo:140V; Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on):2V; Oznaczenie układu:BDX67C; Pasmo wzmocnienia ft, typ.:50kHz; Prąd Ic hFE:10A; Prąd Ic stały a, maks.:16A; Rodzaj tranzystora:Darlingtona; Straty mocy Ptot, maks.:150W; Temperatura przy pełnej mocy znamionowej:25°C; Typ zakończenia:Przewlekane; Średni prąd Ic:16A
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
BDX67CSMBipolar Junction Transistor, Darlington, NPN Type, TO-31
  • 2:$7.5000
  • 1:$11.2500
Imagen Parte # Descripción
BDX54CTU

Mfr.#: BDX54CTU

OMO.#: OMO-BDX54CTU

 Darlington Transistors PNP Darlington 8A 100V
BDX33D-S

Mfr.#: BDX33D-S

OMO.#: OMO-BDX33D-S

 Darlington Transistors 120V 10A NPN
BDX016017-2

Mfr.#: BDX016017-2

OMO.#: OMO-BDX016017-2

 Terminal Junction Modules GROUND BLOCK SZ16 WC
BDX10C

Mfr.#: BDX10C

OMO.#: OMO-BDX10C-ROHM-SEMICONDUCTOR

 Nuevo y original
BDX18N

Mfr.#: BDX18N

OMO.#: OMO-BDX18N-1190

 Nuevo y original
BDX20

Mfr.#: BDX20

OMO.#: OMO-BDX20-1190

 Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
BDX34BTU

Mfr.#: BDX34BTU

OMO.#: OMO-BDX34BTU-ON-SEMICONDUCTOR

 TRANS PNP 80V 10A TO-220
BDX54BTU

Mfr.#: BDX54BTU

OMO.#: OMO-BDX54BTU-ON-SEMICONDUCTOR

 TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220
BDX65B

Mfr.#: BDX65B

OMO.#: OMO-BDX65B-1190

 Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
BDX54CTU

Mfr.#: BDX54CTU

OMO.#: OMO-BDX54CTU-ON-SEMICONDUCTOR

 Darlington Transistors PNP Darlington 8A 100V
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
11,25 US$
11,25 US$
10
10,69 US$
106,88 US$
100
10,12 US$
1 012,50 US$
500
9,56 US$
4 781,25 US$
1000
9,00 US$
9 000,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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