MJD42CG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Paquete / Caja:

DPAK-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

6 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

3 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MJD42C

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Embalaje:

Tubo

Ancho:

6.22 mm

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

30 at 300 mA, 4 V, 15 at 3 A, 4 V

Pd - Disipación de energía:

1.75 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.009185 oz

Tags

MJD42, MJD4, MJD