NP50P04SDG-E1-AY

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Electrónica Renesas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

50 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.6 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1200 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

6.1 mm

Marca:

Electrónica Renesas

Otoño:

180 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

405 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Unidad de peso:

0.011993 oz

Tags

NP50P04SDG-E, NP50P04SD, NP50P04S, NP50P04, NP50P, NP50, NP5