PMZB950UPEYL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-1006B-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

500 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.02 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

1.19 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

360 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.4 mm

Longitud:

1.05 mm

Producto:

MOSFET

Escribe:

MOSFET de trinchera

Ancho:

0.65 mm

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

480 mS

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.3 ns

Unidad de peso:

0.000021 oz

Tags

PMZB9, PMZB, PMZ