DMN3150L-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

54 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

620 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

8.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMN3150

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

3 S

Otoño:

3.26 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.49 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15.02 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1.14 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

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DMN3150L-7, DMN315, DMN31, DMN3, DMN