2N5115e3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

JFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-18-3

Polaridad del transistor:

P-Channel

Configuración:

Único

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

30 V

Corriente de drenaje-fuente a Vgs = 0:

- 15 mA to - 60 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

100 Ohms

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Embalaje:

A granel

Marca:

Microchip / Microsemi

Voltaje de corte de puerta-fuente:

3 V to 6 V

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

30 V

Tipo de producto:

JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

Tags

2N5115, 2N511, 2N51, 2N5