STS15N4LLF5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.25 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V, 18 V

Qg - Carga de puerta:

12.9 nC

Pd - Disipación de energía:

3 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Serie:

STS15N4LLF5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

5.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

42 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

STS15, STS1, STS