FDS8878-F123

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

14 mOhms

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

FDS8878_F123

Unidad de peso:

0.006596 oz

Tags

FDS8878, FDS887, FDS88, FDS8, FDS