BSL202SNH6327XTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

36 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

8.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3 mm

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

25 S

Otoño:

4.06 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.26 ns

Parte # Alias:

BSL202SN H6327 SP001100644

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

BSL202SNH, BSL202S, BSL202, BSL20, BSL2, BSL