IRF7350PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.1 A

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC, 21 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

2.4 S, 1.1 S

Otoño:

20 ns, 40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns, 13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4085

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns, 30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.7 ns, 25 ns

Parte # Alias:

SP001554224

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

IRF7350, IRF735, IRF73, IRF7, IRF