STP90N55F4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

90 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

90 nC

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Serie:

STP90N55F4

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

60 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

55 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

Tags

STP90, STP9, STP