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SI1417EDH-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3
Mfr. #:
SI1417EDH-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI1417EDH-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI1417EDH-E3
Unidad de peso
0.000265 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET
Paquete-Estuche
SOT-363-6
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 P-Channel
Disipación de potencia Pd
1 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
1400 ns
Hora de levantarse
1400 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
12 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
2.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
160 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
4900 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
600 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI1417EDH-T, SI1417E, SI1417, SI141, SI14, SI1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-70 T/R
***C
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin
***ment14 APAC
MOSFET, P CH, -12V, -2.7A, SOT-363-6
***i-Key
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
***ser
P-Channel MOSFETs 12V 3.3A
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-3300mA; Drain Source Voltage, Vds:-12V; On Resistance, Rds(on):0.160ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.45V; Power Dissipation, Pd:1W ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, P CH, -12V, -2.7A, SOT-363; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.7A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.133ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; Power Dissipation Pd:1W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; MSL:-
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI1417EDH-T1-E3
DISTI # SI1417EDH-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI1417EDH-T1-E3
    DISTI # SI1417EDH-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI1417EDH-T1-E3
      DISTI # SI1417EDH-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI1417EDH-T1-E3
        DISTI # 781-SI1417EDH-E3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
        RoHS: Compliant        		0
          SI1417EDH-T1
          DISTI # 781-SI1417EDH          		Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
          RoHS: Not compliant          		0
            SI1417EDH-T1-E3Vishay Intertechnologies 121
              SI1417EDH-T1-E3
              DISTI # 2335279              		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CH, -12V, -2.7A, SOT-363
              RoHS: Compliant              		0
              • 1:$1.0500
              • 10:$0.7660
              • 100:$0.7180
              • 250:$0.6220
              • 500:$0.5270
              • 1000:$0.4150
              • 3000:$0.3350
              • 6000:$0.3180
              Imagen Parte # Descripción
              SI1417EDH-T1-GE3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-GE3

              		 MOSFET
              SI1417EDH-T1-E3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-E3

              		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1441EDH-T1-GE3
              SI1417EDH

              Mfr.#: SI1417EDH

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-1190

              		 Nuevo y original
              SI1417EDH-T1

              Mfr.#: SI1417EDH-T1

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-1190

              		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1441EDH-T1-GE3
              SI1417EDH-T1-GE3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-GE3-VISHAY

              		 MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6
              SI1417EDH-T1-E3

              Mfr.#: SI1417EDH-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI1417EDH-T1-E3-VISHAY

              		 IGBT Transistors MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V
              Disponibilidad
              Valores:
              Available
              En orden:
              4500
              Ingrese la cantidad:
              El precio actual de SI1417EDH-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
              Precio de referencia (USD)
              Cantidad
              Precio unitario
              Ext. Precio
              1
              0,00 US$
              0,00 US$
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              0,00 US$
              100
              0,00 US$
              0,00 US$
              500
              0,00 US$
              0,00 US$
              1000
              0,00 US$
              0,00 US$
              Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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