FDMD8260LET60

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-12

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

49 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

44 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Clip de energía

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

FDMD8260LET60

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

56 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

47 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.002904 oz

Tags

FDMD82, FDMD, FDM