IRFHM4226TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

28 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

32 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.7 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

FastIRFet

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.05 mm

Longitud:

3.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

136 S

Otoño:

8.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

SP001556568

Tags

IRFHM4, IRFHM, IRFH, IRF