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CGHV1J025D-GP4

CGHV1J025D-GP4
Mfr. #:
CGHV1J025D-GP4
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CGHV1J025D-GP4 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CGHV1J025D-GP4 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
20 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
50 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
145 V
Id - Corriente de drenaje continua:
2.5 A
Potencia de salida:
70 W
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Pd - Disipación de energía:
64 W
Estilo de montaje:
Montaje con tornillo
Paquete / Caja:
NI-360
Embalaje:
Bandeja
Configuración:
Único
Frecuencia de operación:
3.7 GHz
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marca:
Qorvo
Kit de desarrollo:
QPD1015LPCB401
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
25
Subcategoría:
Transistores
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
- 2.8 V
Tags
CGHV1J02, CGHV1J, CGHV1, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 40V DIE
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CGHV1J025D-GP4
DISTI # V36:1790_22799863		Cree, Inc.RF POWER TRANSISTOR0
  • 25000:$46.5200
  • 5000:$48.2700
  • 500:$52.3800
  • 50:$53.1400
CGHV1J025D-GP4
DISTI # CGHV1J025D-GP4-ND		WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray		120In Stock
  • 10:$41.7200
CGHV1J025D-GP4
DISTI # 941-CGHV1J025D		Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
RoHS: Compliant		0
  • 10:$46.8100
CGHV1J025D-GP4
DISTI # CGHV1J025D-GP4		WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 50:$42.6500
Imagen Parte # Descripción
CMPA1D1E025F

Mfr.#: CMPA1D1E025F

OMO.#: OMO-CMPA1D1E025F

 RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
CGHV1J070D-GP4

Mfr.#: CGHV1J070D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-GP4

 RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

 RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4-WOLFSPEED

 RF MOSFET HEMT 40V DIE
CGHV1J070D-GP4

Mfr.#: CGHV1J070D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-GP4-WOLFSPEED

 RF POWER TRANSISTOR
CMPA1D1E025F

Mfr.#: CMPA1D1E025F

OMO.#: OMO-CMPA1D1E025F-WOLFSPEED

 IC AMP 13.75GHZ-14.5GHZ 440208
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de CGHV1J025D-GP4 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
10
46,81 US$
468,10 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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