STB100NH02LT4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

24 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

100 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.6 mm

Longitud:

10.4 mm

Serie:

STB100NH02L

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

9.35 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

40 S

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

75 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

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