2N5629 PBFREE

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3-2

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

1 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Serie:

2N56

Ganancia de corriente CC hFE Max:

100 at 8 A, 2 V

Embalaje:

Tubo

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

16 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

25 at 8 A, 2 V

Pd - Disipación de energía:

200 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

Transistores

Tags

2N5629, 2N562, 2N56, 2N5