RDX100N60FU6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

480 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Qg - Carga de puerta:

45 nC

Pd - Disipación de energía:

45 W

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor ROHM

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

RDX100N60

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

RDX100N60F, RDX100N6, RDX10, RDX1, RDX