NTR4003NT3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

560 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4 V

Qg - Carga de puerta:

1.15 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

690 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTR4003N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

FET - MOSFET - Canal N

Ancho:

1.3 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

0.33 S

Otoño:

64.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

47.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

65.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16.7 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

NTR4003NT, NTR400, NTR40, NTR4, NTR