2N6729

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

500 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2N6729

Ganancia de corriente CC hFE Max:

80 at 50 mA, 1 V

Altura:

4.01 mm

Longitud:

4.77 mm

Ancho:

2.41 mm

Marca:

Diodos incorporados

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

80

Pd - Disipación de energía:

1000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.016000 oz

Tags

2N672, 2N67, 2N6