IPL60R210P6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ThinPAK-5

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

19.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

189 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

37 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

151 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

8 mm

Serie:

CoolMOS P6

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

8 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

7 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Parte # Alias:

IPL60R210P6AUMA1 SP001017096

Unidad de peso:

0.006716 oz

Tags

IPL60R21, IPL60R2, IPL60, IPL6, IPL