NDS8852H

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

5 ns, 8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns, 21 ns

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21 ns, 21 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 9 ns

Unidad de peso:

0.006596 oz

Tags

NDS885, NDS88, NDS8, NDS