RN2115MFV(TPL3)

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

Transistores bipolares - Pre-polarizados

RoHS:

N

Polaridad del transistor:

PNP

Resistencia de entrada típica:

2.2 kOhms

Relación de resistencia típica:

0.22

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

50

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 50 V

Corriente continua del colector:

- 100 mA

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

RN2115

Embalaje:

Carrete

Colector- Voltaje base VCBO:

- 50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V

Altura:

1.2 mm

Longitud:

1.2 mm

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 65 C to + 150 C

Escribe:

Transistor de silicio epitaxial PNP

Ancho:

0.5 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

BJTs - Transistores bipolares - Pre-polarizados

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

Transistores

Tags

RN2115M, RN2115, RN211, RN21, RN2