SI1012CR-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-75-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

600 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

396 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

1.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

240 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

1.575 mm

Serie:

SI1

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

0.76 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

7.5 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

SI1012CR-GE3

Unidad de peso:

0.000071 oz

Tags

SI1012, SI101, SI10, SI1