APT40SM120B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

41 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V, - 10 V

Qg - Carga de puerta:

130 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

273 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

APT40SM120

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Microchip / Microsemi

Otoño:

16 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Tags

APT40S, APT40, APT4, APT