FCH110N65F-F155

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

35 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

110 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 30 V

Qg - Carga de puerta:

98 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

357 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.82 mm

Longitud:

15.87 mm

Serie:

FCH110N65F

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.82 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

30 S

Otoño:

5.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

450

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

89 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

31 ns

Parte # Alias:

FCH110N65F_F155

Unidad de peso:

0.225401 oz

Tags

FCH110, FCH11, FCH1, FCH